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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心專用儀器儀表DP-M3手持式四探針測(cè)試儀/四探針電阻率儀/方阻儀

手持式四探針測(cè)試儀/四探針電阻率儀/方阻儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

手持式四探針測(cè)試儀/四探針電阻率儀/方阻儀 型號(hào):DP-M3

概述 DP-M3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品型號(hào):DP-M3
更新時(shí)間:2018-01-31
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:2334

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手持式四探針測(cè)試儀/四探針電阻率儀/方阻儀 型號(hào):DP-M3

概述 DP-M3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
成套組成:由DP-M3主機(jī)、選配的四探針探頭等二分組成,也可加配測(cè)試臺(tái)。
儀器所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用輕觸按鍵輸入;具有零位、滿度自校能;手動(dòng)/自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程可選;測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀采用可充電電池供電,適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用!
探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配探頭,也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。

儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的手持式導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本參數(shù)1. 測(cè)量范圍、分辨率
電 阻: 0.010 ~ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ~ 10 Ω
電 阻 率: 0.010~ 20.00kΩ-cm,分辨率0.001 ~ 10 Ω-cm
方塊電阻: 0.050~ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ~ 10 Ω/□
2. 可測(cè)材料尺寸
手持方式不限材料尺寸,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下:
直 徑:DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm。
DP-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。
長()度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。.
測(cè)量方位: 軸向、徑向均可.
3. 量程劃分及誤差等級(jí)
量程(Ω-cm/□) 2.000 20.00 200.0 2.000k 20.00k
電阻測(cè)試范圍 0.010~2.200 2.000~22.00 20.00~220.0 0.200~2.200k 2.000~50.00k
電阻率/方阻 0.010/0.050~2.200 2.000~22.00 20.00~220.0 0.200~2.200k 2.000~20.00k
基本誤差 ±1%FSB±2LSB ±2%FSB±2LSB

4) 適配器作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電
5) 外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm
凈 重:≤0.3kg


手持式數(shù)字式四探針測(cè)試儀/四探針電阻率/方阻測(cè)試儀 型號(hào):DP-M2

概述
DP-M2型手持式數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭等二分組成,也可加配測(cè)試臺(tái)。
主機(jī)主要由數(shù)控恒流源,分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成,自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程。儀器所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用旋鈕輸入;具有零位、滿度自校能;自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程;測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀采用可充電電池供電,適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用!
探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配探頭,也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。


儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率
電 阻: 0.010 ~ 9999Ω, 分辨率0.001 ~ 1 Ω
電 阻 率: 0.010~ 2000Ω-cm, 分辨率0.001 ~ 1 Ω-cm
方塊電阻: 0.050~ 2000Ω/□ 分辨率0.001 ~ 1 Ω/□
2. 材料尺寸
手持方式不限材料尺寸,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定
直 徑:DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm。
DP-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。
長()度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。.
測(cè)量方位: 軸向、徑向均可.
3. 量程劃分及誤差等級(jí)

量程(Ω-cm/□) 9.999 99.99 999.9 9999.
電阻測(cè)試范圍 0.010~9.999 9.99~99.99 99.99~999.9 999.9~9999
電阻率/方阻 0.010/0.050~9.999 9.99~99.99 99.99~999.9 999.9~2000
基本誤差 ±1%FSB±2LSB ±2%FSB±2LSB

4) 適配器作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電
5) 外形尺寸:W×H×L=18cm×7.5cm×13cm
凈 重:≤0.5kg


純水機(jī)/純水儀 型號(hào):DP27034

產(chǎn)品介紹

結(jié)構(gòu):
由鐵板、低壓開關(guān)、水泵、膜殼、壓開關(guān)、反沖壓閥、變壓器、濾瓶蓋、*道濾瓶、二道濾瓶、三道濾瓶等件組成。
規(guī)格參數(shù):
額定電壓:220V/50Hz
額定率:28.8W
適用水壓:0.03~0.6Mpa
純水機(jī)作壓力:≤0.6Mpa
水水溫:4~45℃
產(chǎn)水量:10L/h,水質(zhì)符合GB 6682-1992三級(jí)。


能導(dǎo)電類型鑒定儀/導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀/PN型號(hào)測(cè)定儀 型號(hào):DP-ST13

概述
DP-ST13型導(dǎo)電類型鑒定儀是運(yùn)用熱電勢(shì)法原理和整流法鑒定半導(dǎo)體導(dǎo)電類型(PN類型)的儀器。
儀器成套組成:本儀器由主機(jī)和兩套探頭等件組成。導(dǎo)電類型P或N由數(shù)碼管顯示。探頭由冷、熱兩根配套使用。
優(yōu)勢(shì)特征:
熱電勢(shì)法中,熱探針具有恒溫可調(diào)能,以適應(yīng)寬范圍低電阻率導(dǎo)電類型測(cè)試的需要!冷、熱探針都采用即插式,方便更換。
整流法中,運(yùn)用整流法原理鑒定半導(dǎo)體導(dǎo)電類型的儀器,同時(shí)兼?zhèn)錅y(cè)試重?fù)降哪堋?br>本儀器關(guān)鍵器件采用集成電路,并采用優(yōu)質(zhì)貼片藝,儀器具有鑒定范圍寬、靈敏度、穩(wěn)定性好、使用方便等特點(diǎn)。適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、等院校等對(duì)寬范圍特別是低電阻率半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型(PN類型)測(cè)試的需要!
三、參數(shù)
1. PN 鑒定范圍:
熱電勢(shì)法ρ=1×10-4~1.0×103 Ω-cm,整流法 ρ=1×10-2~1.0×104 Ω-cm
2. 可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:
PN 鑒定 :可接觸面 Smin= 3mm*3mm
3. 探頭參數(shù):
熱電勢(shì)法 ⑴熱探頭: 溫度調(diào)節(jié)范圍60℃~200℃,探針:鍍鎳“不老頭"
⑵冷探頭: 單針式,
整流法, 鋼針鍍鎳
4. 電源:
220V±10% 50Hz,
耗: <20W
5.作環(huán)境:
溫 度: -10℃~40℃ ,相對(duì)濕度: 50%~70%
作室內(nèi)應(yīng)無強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾
6. 外形尺寸及重量:
主機(jī): 175mm(長)×200 mm(寬)×70mm()重量: 約1kg


紫外線測(cè)定儀/紫外線檢測(cè)儀 型號(hào):DP-1

產(chǎn)品參數(shù):

專業(yè)質(zhì)量UV計(jì)

UVA、UVB測(cè)量

UV傳感器頻譜290nm~390 nm(波長范圍)

Hi,Lo測(cè)試量程19990及1999uw/cm2(強(qiáng)度范圍)

表頭探頭分離便于各種環(huán)境使用。


注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對(duì)應(yīng)的 


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